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MOSFET>SI2343DS-T1-BE3>

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MOSFET>SI2343DS-T1-BE3>
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产品名称: MOSFET>SI2343DS-T1-BE3>
联系人: 江映敏
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产品名称: MOSFET>SI2343DS-T1-BE3> 产品类别: 分立半导体- 晶体管
产品规格: SOT-23-3 产品品牌: VISHAY/威世

生产厂家: 客服确认 产品型号: SI2343DS-T1-BE3
产品说明:

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOT-23-3  

晶体管极性: P-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 30 V  

Id-连续漏极电流: 3.1 A  

Rds On-漏源导通电阻: 53 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V  

Qg-栅极电荷: 14 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 750 mW  

通道模式: Enhancement  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Vishay / Siliconix  

配置: Single  

下降时间: 20 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 15 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 P-Channel  

典型关闭延迟时间: 31 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: SI2343DS-T1-E3  

单位重量: 8 mg 


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