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产品名称: | MOSFET>SIZ254DT-T1-GE3>VISHAY/威世 |
联系人: | 江映敏 |
电 话: | 0755-83794078 |
手 机: | |
E-mail: | 2881640373@qq.com |
QQ: | 2881640373 |
产品名称: | MOSFET>SIZ254DT-T1-GE3>VISHAY/威世 | 产品类别: | 分立半导体- 晶体管 |
产品规格: | PowerPAIR-3x3S-8 | 产品品牌: | VISHAY/威世 |
生产厂家: | 客服确认 | 产品型号: | SIZ254DT-T1-GE3 |
产品说明: |
技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAIR-3x3S-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 70 V Id-连续漏极电流: 32.5 A Rds On-漏源导通电阻: 16.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V Qg-栅极电荷: 13 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 33 W 通道模式: Enhancement 商标名: TrenchFET 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Vishay / Siliconix 配置: Dual 下降时间: 5 ns, 6 ns 正向跨导 - 最小值: 45 S, 50 S 产品类型: MOSFET 上升时间: 6 ns 工厂包装数量: 3000 子类别: MOSFETs 晶体管类型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET 典型关闭延迟时间: 23 ns, 24 ns 典型接通延迟时间: 12 ns 单位重量: 143.050 mg |