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| 产品名称： | MOSFET>IXTA86N20X4>IXYS |
| 联系人： | 江映敏 |
| 电 话： | 0755-83794078 |
| 手 机： | |
| E-mail： | 2881640373@qq.com |
| QQ： | 2881640373 |
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| 产品名称： | MOSFET>IXTA86N20X4>IXYS | 产品类别： | 分立半导体- 晶体管 |
| 产品规格： | TO-263-3 | 产品品牌： | IXYS |
| 生产厂家： | 客服确认 | 产品型号： | IXTA86N20X4 |
| 产品说明： |
制造商: IXYS 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 86 A Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Qg-栅极电荷: 70 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 300 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 商标: IXYS 配置: Single 下降时间: 35 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 38 ns 工厂包装数量: 300 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 76 ns 典型接通延迟时间: 27 ns 单位重量: 4 g |
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建议使用分辨率:1024*768