 |
|||||||
|
|||||||
|
|
|||||||
|
|||||||
|
|
 点击查看大图
|
|
| 产品名称： | MOSFET>IMBG65R022M1HXTMA1>INFINEON/英飞凌 |
| 联系人： | 江映敏 |
| 电 话： | 0755-83794078 |
| 手 机： | |
| E-mail： | 2881640373@qq.com |
| QQ： | 2881640373 |
|
|
| 产品名称： | MOSFET>IMBG65R022M1HXTMA1>INFINEON/英飞凌 | 产品类别： | 分立半导体- 晶体管 |
| 产品规格： | NA | 产品品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 生产厂家： | 客服确认 | 产品型号： | IMBG65R022M1HXTMA1 |
| 产品说明： |
制造商: Infineon 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 64 A Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 23 V Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V Qg-栅极电荷: 67 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 300 W 通道模式: Enhancement 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Infineon Technologies 产品: MOSFET 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 零件号别名: IMBG65R022M1H SP005539143 |
||
建议使用分辨率:1024*768