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MOSFET>NTH4L022N120M3S>ON/安森美

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MOSFET>NTH4L022N120M3S>ON/安森美
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产品名称: MOSFET>NTH4L022N120M3S>ON/安森美
联系人: 江映敏
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产品名称: MOSFET>NTH4L022N120M3S>ON/安森美 产品类别: 分立半导体- 晶体管
产品规格: TO-247-4 产品品牌: ON/安森美

生产厂家: 客服确认 产品型号: NTH4L022N120M3S
产品说明:

技术: Si  

安装风格: Through Hole  

封装 / 箱体: TO-247-4  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV  

Id-连续漏极电流: 68 A  

Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.4 V  

Qg-栅极电荷: 151 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 352 W  

通道模式: Enhancement  

封装: Tube  

商标: onsemi  

配置: Single  

下降时间: 13 ns  

正向跨导 - 最小值: 34 S  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 24 ns  

工厂包装数量: 450  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 48 ns  

典型接通延迟时间: 18 ns 


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